【摘 要】
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笔者研究了不同极性的n型InN薄膜的输运性质。经常在N极性InN薄膜中出现的晶界(GB)被证实会增强载流子的散射,进而削弱电子的迁移率。在晶界两侧会形成势垒,阻挡部分载流
【机 构】
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School of Physics, Peking University.Beijing, 100871, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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笔者研究了不同极性的n型InN薄膜的输运性质。经常在N极性InN薄膜中出现的晶界(GB)被证实会增强载流子的散射,进而削弱电子的迁移率。在晶界两侧会形成势垒,阻挡部分载流子的漂移运动,导致在GB两侧有较多的电子积累。但是,In极性薄膜表面总是可以看到单层原子的台阶状分布,相对于N极性样品,表面更加光滑平整,并不会出现晶粒状表面,所以也就没有必要考虑GB对散射的影响。对于两种极性样品载流子浓度和迁移率的拟合结果均与实验数据相符,并且得到了In极性和N极性样品的位错浓度分别为4.5×1010cm-2和9.5×109cm-2,这和样品的XRD谱线估计得到的位错密度相符。拟合得到载流子在室温下在GB中的迁移率约为75cm2/V·s,远小于体迁移率。
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