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雷斯青霉菌中的含氮化合物
【机 构】
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滨州医学院,药学院 山东省烟台市莱山区观海路346号,264003
【出 处】
:
中国化学会第十一届全国天然有机化学学术会议
【发表日期】
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2016年8期
其他文献
自2004 年单层石墨烯被成功剥离,低维材料的研究引起了广泛的关注,谷电子学这一概念也悄然兴起。作为电子学的新兴分支,谷电子学的研究主要聚焦于电子的谷自由度,在电学、磁学、光学开光,信息存储等领域均具有重要的研究意义及潜在的应用价值。
自从发现以来,由于石墨烯的蜂窝状二维晶格结构和狄拉克费米子的能带结构,石墨烯展现出很多新奇的物理性质和优秀的物理性能.由于其单原子层结构,它的性质可以通过应力,掺杂和与衬底的相互作用来调控.通过利用扫描探针与背栅极门电压的协同作用在石墨烯表面实现了PN结结构,并探测到了电子的“回音壁”模式1.
GaAs是Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料,嵌入GaAs量子点的GaAs纳米线结构(GaAs QDs-GaAs NWs)具有优良的光电性能1,可以被应用于光纤通信设备中的近红外量子点光电器件、中红外量子点探测器,及量子点太阳能电池等。通过施加电场、磁场和温度场,应力等外场,改变半导体的光学性质,可展现出多种丰富的物理效应,从而产生更为广泛的应用。
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铁在压力作用下会发生 α-ε 结构相变,该相变会导致铁的磁性发生转变。通过在金刚石对顶砧中布置互感探测线圈,并将金刚石对顶砧置于电磁铁中施加直流磁场,测量得到了在25GPa下,铁的磁化曲线。系统研究了铁初始磁导率、剩磁、矫顽力等宏观磁性参数随压力的变化规律,判断铁在高压下发生磁性转变的转变类型,总结铁的压力导致磁性转变与结构相变之间的关系和转变滞后性。
Introduction: Ni-based single crystal(SC)superalloys possess superior comprehensive properties,which were attributed to the existence of a high volume fraction of cuboidal L12-ordered γ′ precipitates
会议
利用第一性原理计算方法,研究了一系列的5d过渡金属TM(TM=Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt)存在磷化物但不存在相应的相似结构的氮化物的体系,成功预测两种有可能在高压条件下合成的过渡金属氮化物,即TaP2型(C2/m,No.12)的TaN2和WP型(Pnma,No.62)的WN.系统研究了两种过渡金属氮化物形成焓、弹性常数以及声子谱,分析得到它们能够保持结构的热力学稳定性.通过与他人的计算
近年来,由于对镁合金材料热稳定性需求的提高,溶质原子在孪晶、晶界及层错等微观界面偏析的研究引起了人们的极大关注。研究表明,镁合金在错配度较小的孪晶界上会产生周期性的偏析结构[1],而在错配度较大的晶界处,则形成非周期性的原子团簇[2]。此外,人们还发现Mg-Gd-Y和Mg-Gd-Y-Ag合金中的孪晶界和晶界处元素的偏析都有所差异[3]。但是,对界面偏析的影响因素目前没完全理清。
With more than 60%of input energy being lost,most of it as waste heat,there is a compelling need for high performance thermoelectric materials that can directly and reversibly convert heat to electric
会议
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