【摘 要】
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本文采用改进的新型顶部籽晶熔渗生长法(TSIG),研究了不同过冷度(△T=Tp-T)下、固相组分为BaCuO2∶ Gd2O3=1∶1的单畴GdBCO超导块材生长的影响.通过对GdBCO先驱块材在不同过冷度下保温20h,再淬火方法,获得了一组GdBCO块材;根据对不同过冷度下GdBCO块材生长形貌的分析,研究了过冷度对其成核温度和生长速率的影响规律,确定了新方法中GdBCO单筹超导块材的最佳生长温度
【机 构】
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陕西师范大学,物理学与信息技术学院,西安710062
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本文采用改进的新型顶部籽晶熔渗生长法(TSIG),研究了不同过冷度(△T=Tp-T)下、固相组分为BaCuO2∶ Gd2O3=1∶1的单畴GdBCO超导块材生长的影响.通过对GdBCO先驱块材在不同过冷度下保温20h,再淬火方法,获得了一组GdBCO块材;根据对不同过冷度下GdBCO块材生长形貌的分析,研究了过冷度对其成核温度和生长速率的影响规律,确定了新方法中GdBCO单筹超导块材的最佳生长温度窗口为1035℃到1020℃;发现当过冷度△T=13℃时,GdBCO块材的生长速率最快,磁悬浮力最大.
其他文献
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电子束退火制备二硼化镁超导薄膜工艺已经取得了较大进展,利用该工艺已经制备出了超导转变温度高于35K的超导薄膜.二硼化镁薄膜的超导性能受电子束加速电压、电子束束流、退火时间、束斑尺寸以及前驱膜中镁硼比例等诸多因素的影响,因此要制备出具有更好超导性能的二硼化镁超导薄膜,必须对这些影响因素进行深入研究.
化学溶液法制备YBa2Cu3O7-x (YBCO)涂层导体具有重要的商业潜力,如何通过一次性镀膜工艺获得YBCO厚膜是超导涂层导体产业化必须解决的重要课题之一.本研究以独特的先进低氟溶液为YBCO前驱溶液,通过添加聚吡咯烷酮(PVP)作为增稠剂,提高了YBCO胶体的粘度,并提高了最终YBCO薄膜的厚度及致密性.
采用浸渍提拉溶液沉积表面平坦化方法(SDP)在哈氏合金C276上沉积了约1 μm厚度的非晶氧化钇薄膜,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对薄膜进行表面分析,最优样品的表面均方根粗糙度RMS小于1nm,表面平整致密,无裂纹.成功制备了20m长的长带,并对长带进行均匀性分析,在20m范围内,薄膜的表面均方根粗糙度均小于2nm.采用离子束辅助沉积双轴织构的氧化镁薄膜(IBAD-MgO),通过X射线衍射分析
采用顶部籽晶熔渗方法(TSIG)制备出直径为20mm的系列单畴YBCO块材,样品的成分为Y2Ba4CuZrOy (YZr2411)∶ (Y2O3+1.2BaCuO2) =x:(1-x),其中,x=0、2、4、6、8、10,并研究了不同掺杂量对块的表面形貌,磁悬浮力和微观结构的影响.结果表明,样品的表面形貌与YZr2411的掺杂量密切相关,当x≤2％时样品表面光滑且有明显的单畴性;当x≥4％时表面出
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以Se粉和铁带为原材料,采用气体扩散法制备了FeSe超导带.本文详细介绍了FeSe超导带的制备方法,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和综合物性分析系统(PPMS)等分析测量技术研究了FeSe超导带的结构、形貌、成分以及电输运特性.结果表明制备的FeSe超导带以四方晶系的PbO型FeSe为主晶相,其TCZERO=9.3K,临界电流JC=137A/cm2(4K,0
本文采用顶部籽晶熔融织构方法(TSMTG),分别制备出了直径为20mm的掺杂和不掺杂CeO2的单畴GdBCO超导块材,其中样品中CeO2的掺杂量为1wt％,并且研究了CeO2的掺杂对样品形貌、微观结构、磁悬浮力、以及捕获磁通的影响.研究表明了CeO2的掺杂可使样品中Gd211粒子的分布更加均匀且粒度明显变小,其平均粒径约从原来的8.7um减小到1.27um,并且块材中的气孔也明显减小,从而使样品的
本文通过生物矿化法制备了晶粒均呈现平片状的YBCO粉末,这些平片状YBCO晶粒会在一定区域内自发聚集形成具有相似生长方向的晶粒簇,而且首次发现在这些晶粒簇内部存在有自发超导连接.通过对反应机理的研究发现,作为有机物框架的聚合物右旋糖酐是YBCO平片状晶粒聚集成具有相似生长方向晶粒簇的关键因素,而作为添加物的NaCl则是使YBCO晶粒呈现平片状的主要原因.