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在Ar 气氛下对采用脉冲直流磁控溅射方法制备的B 掺杂ZnO（BZO）薄膜，分别进行了退火时间恒定改变退火温度和退火温度恒定改变退火时间的系列实验，确定了适合我们制备的BZO 薄膜的最优退火条件。在确定的最优退火条件下，对我们制备的最优光电性能的薄膜进行了退火处理。结果表明退火处理之后薄膜的结晶质量改善，载流子浓度增加，电阻率由7.03×10-4 . cm 减小到6.24×10-4 . cm，光学带隙由3.43 eV 展宽到3.45 eV, 400-1100 nm的平均透过率>85％。