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该文介绍了一种采用掺氮直流磁控反应溅射薄膜电阻工艺，可以显著降低绝对值很大的电阻薄膜正温度系数。在单片ＩＣ中典型的５００～２０００Ω／□应用范围内，采用该技术可使高达５００ｐｐｍ／℃以上的ＣｒＳｉ〈，２〉电阻薄膜ＴＣＲ改善到≤±ｐｐｍ／℃以内。该技术尤其适合于不具备高频溅射的金属陶瓷薄膜电阻工艺中应用。