热退火对CdTe光致发光谱的影响

来源 :全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cxhhhsy

【摘要】

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该实验测量了CdTe在不同热退火条件处理后的低温光致发光谱，所用样品是未掺杂的P型CdTe单晶。实验结果：在CdTe单晶中，观察到了位于1．532、1．542、1．46、、1．41ev的发光峰。CdTe单晶

【作者】

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张丽珠;林昭炯;张伯蕊;

【机构】

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北京大学

【出处】

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全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议

【发表日期】

：

1985年期

【关键词】

：

光致发光光谱分析半导体晶体退火碲化镉

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该实验测量了CdTe在不同热退火条件处理后的低温光致发光谱，所用样品是未掺杂的P型CdTe单晶。实验结果：在CdTe单晶中，观察到了位于1．532、1．542、1．46、、1．41ev的发光峰。CdTe单晶的总的积分发光强度随温升增强。不同的热退火条件，1．41ev发光峰与1．58Zev带边峰强度相比是不同的。在真空退火条件下，1．41ev峰的强度与1．582ev峰强度相比要强得多，而且随着退火温度的增加而增加。由于所用样品是富Te的，在热退火时Cd的饱和蒸汽压比Te的要高得多。更容易在表面造成Cd的空位，因此对退火实验结果的分析，1．4lev峰更可能是与Vcd复合体发光中心相联系。（韩理洁摘）

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