【摘 要】
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由于和IC工艺及微机械加工技术兼容，硅基二氧化硅（SiO）和氮化硅（SiN）薄膜是驻机体微型传感器领域中十分新颖的无机驻极体材料。该文描述了硅基SiO、SiN单层膜和硅基SiN/SiO双层驻
【出 处】
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第三届中国功能材料及其应用学术会议
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由于和IC工艺及微机械加工技术兼容，硅基二氧化硅（SiO<,2>）和氮化硅（Si<,3>N<,4>）薄膜是驻机体微型传感器领域中十分新颖的无机驻极体材料。该文描述了硅基SiO<,2>、Si<,3>N<,4>单层膜和硅基Si<,3>N<,4>/SiO<,2>双层驻机体膜的制备工艺。利用等温退极化技术估算出上述薄膜驻板体的寿命，并利用在适当高温下的等温表面电位衰减曲线对上述三种驻极体薄膜的电荷储存稳定性进行了比较性的研究。
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