【摘 要】
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利用磁控溅射法,制备了一种上钉扎的标准自旋阀结构:Ta(6nm)、NiFe/CoFe(1nm)/Cu(1.8nm)/CoFe(3.5nm)/IrMn(8nm)/Ta(6nm),并研究了自旋阀结构中NiFe层厚度对自旋阀巨磁电阻变化率的影响,发现:巨磁电阻变化率对于NiFe层厚度具有强烈的依赖性.当NiFe 层厚度位于2~6nm和7~12nm两个范围时,巨磁电阻变化率分别维持在较高(约8.34％)和
【机 构】
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清华大学微电子学研究所(北京) 深圳市华夏磁电子公司(深圳)
【出 处】
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第七届"测量与控制在资源节约、环境保护中的应用"学术会议
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利用磁控溅射法,制备了一种上钉扎的标准自旋阀结构:Ta(6nm)、Ni<,81>Fe<,19>/Co<,90>Fe<,10>(1nm)/Cu(1.8nm)/Co<,90>Fe<,10>(3.5nm)/Ir<,20>Mn<,80>(8nm)/Ta(6nm),并研究了自旋阀结构中Ni<,81>Fe<,19>层厚度对自旋阀巨磁电阻变化率的影响,发现:巨磁电阻变化率对于Ni<,81>Fe<,19>层厚度具有强烈的依赖性.当Ni<,81>Fe<,19> 层厚度位于2~6nm和7~12nm两个范围时,巨磁电阻变化率分别维持在较高(约8.34％)和较低(约3.34％)的两个水平,而当Ni<,81>Fe<,19>层厚度从6nm增加到7nm时,巨磁电阻变化率急剧降低,达5％.由此可见,为了得到高磁阻变化率,此类自旋阀结构中的 Ni<,81>Fe<,19>层厚度不能超过6nm.
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