【摘 要】
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通过射频反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备N掺杂的CuO薄膜.采用X射线衍射(XRD)、分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)和霍尔效应等检测,研究了氮气掺杂对CuO薄膜性能的影
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京210016
【出 处】
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AVT2010国际学术会议——真空技术在光电材料与器件中的应用
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通过射频反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备N掺杂的CuO薄膜.采用X射线衍射(XRD)、分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)和霍尔效应等检测,研究了氮气掺杂对CuO薄膜性能的影响.结果表明：随着N原子的掺入,薄膜的结晶质量下降,光学带隙从2.29eV升至2.5eV.同时薄膜的电学性能趋于稳定.当N2/O2为0.6时,薄膜的电阻率为1.5Ω·cm,空穴浓度为2.157× 1019cm-3.
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