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Electronic tuning of URu2Si2 through P and Ga substitution

来源 :2015杭州量子物质国际研讨会( Internationale Conference on Strongly-Corre | 被引量 : 0次 | 上传用户：z3753091

【作 者】

：

R.E.Baumbach A.Gallagher K.W.Chen S.Cary F.Kametani D.Graf T.Albrecht-Schmitt S.C.Riggs A.Shekhter 

【机 构】

：

National High Magnetic Field Laboratory,Florida State University,Tallahassee,Florida,USA

【出 处】

：

2015杭州量子物质国际研讨会( Internationale Conference on Strongly-Corre

【发表日期】

：

2015年3期

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