半导体釉配方的研究

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具有防无线电干扰性能的绝缘子,在绝缘子表面需施半导体釉。为了研制出口的防无线电干扰的绝缘子,进行了半导体釉配方的研究。该文中的配方研究采用正交设计的方法,应用具有混合位级的L16(44×23)表安排试验,试验数据除用极差分析外,还结合釉料配方的特点进行了综合平衡分析。在比较试验的基础上选出最优配方,进行全面性能测定,最后进行了产品工艺试验。试验证明,配方的各项性能良好,产品的防无线电干扰性能完全符合“美标”要求,而且裕度很大,完全符合出口产品的技术规格。亦可用于国内防无线电干扰的绝缘子。(本刊录)
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