退火气氛对硅基Pt/PZT/Pt铁电电容器结构和性能的影响

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:helen515
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  在室温条件下,采用溶胶凝胶方法在Pt基片上制备了Pt/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)/Pt电容器,而后样品在氧气和氮气的混合气氛中进行快速后退火处理,其中氧气含量分别为0.5%、2%、空气、纯O2.采用X射线衍射仪和铁电测试仪对铁电电容器的微观结构以及电学性能进行了测量.XRD图谱显示经过不同气氛退火的PZT薄膜无焦绿石相形成,制备的PZT薄膜均为多晶钙钛矿结构.电学测量结果表明,在0.5%O2和2%O2两种条件中退火,PZT薄膜样品的极化强度比较小,电滞回线对称性也比较差.空气和纯O2环境中退火后,样品的极化强度明显增大,电滞回线对称性较好,且饱和性良好.在纯O2的气氛中,经后退火的铁电电容器具有较好的抗疲劳特性、脉宽依赖性和保持特性,具有较大的剩余极化强度,5 V电压下的剩余极化强度为16.21μC/cm2.出现上述结果的原因是由于在0.5%O2、2%O2、空气三种环境下退火,由于环境气氛中的氧含量相对不足,短时间的快速退火使PZT薄膜中存在较多的氧空位,氧空位钉扎铁电畴,从而降低了电容器的铁电性能.
其他文献
胆甾相液晶(CLC)、聚乙烯醇(PVA)和水的乳化体系中,CLC可在体系中的水蒸发后,形成水平排列的微滴结构,并最终实现激光出射。实验表明,CLC和PVA的浓度比对CLC微滴体系整体的激光性能具有显著影响,当两者浓度比介于1∶10与1∶9之间时,体系整体的激光性能达到最佳。此外,两者的浓度比与所形成的CLC微滴的尺寸也具有很强的关联性,而CLC微滴的尺寸与激光的泵浦阈值成比例相关。
在液晶基础研究以及应用基础研究领域中,液晶半导体材料持续受到大家的关注。这主要是基于液晶的自组装有序性,器件加工成本以及电荷迁移速率综合考虑的结果。近年来,液晶半导体材料应用于场效应晶体管、太阳能电池、分子传感器等电子器件领域并取得进展。液晶半导体(主要是棒状液晶和盘状液晶)分子包含多环芳烃和烷基柔性链两个部分、并且分子通常具有良好的对称性。稠环芳核部分使分子间有较强相互作用并能够获得自组装有序性
铁电材料的光伏效应因具有不依赖于禁带宽度的、大的开路电压引起了人们的广泛关注。目前,制约铁电材料光伏应用的主要问题,在于其输出光电流低(μA/cm2),导致光电转换效率差。近年来,人们探索了很多种方法来提高其光电转换效率。除了提高铁电材料的光吸收能力以外,人们还提出利用扫描探针显微镜(SPM)探针作为电极来实现局域电场的增强,提高光电输出的方法[1-2]。
Lanthanide ions possess fascinating optical properties and are attracting continuous interests due to the wide technological applications.To enhance and in-situ tune the photoluminescence is still a c
多铁材料及其磁电耦合效应对于基础科学和实际应用都有着非常重要的意义1.然而,尽管一些多铁材料及其异质结被广泛关注和研究,但是磁电耦合效应仍然存在着诸多挑战,例如工作温度低,效应弱等.找到新的磁电耦合机制,设计能在室温下实现电场控制磁性的材料和器件,一直是研究者迫切需要解决的问题.
基于金属绝缘体转变原理的双向选通管可以避免在交叉阵列中出现的串扰问题1,如NbO2,TiO2,VO2等材料。但是由于薄膜制备过程中无法避免的缺陷随机性分布,会导致漏电流增大从而导致金属绝缘体转变的随机性,因此选通管的转变参数会很发散,性能重复性较差,这大大降低了其作为选通管的可靠性。
M-type hexaferrite BaFe12O19 is an important material that can be used as permanent magnets and magnetic recording media1.The electrical properties of the polycrystalline bulk BaFe12O19 have been well
根据交换偏置的经典模型,交换偏置大小理论计算值通常比实验值大1-2个数量级,为了解决这个问题,Mauri等人提出了交换偏置体系在反铁磁层内部存在“弹簧结构”,从而降低了磁化反转过程所需能量,区别与经典的静态磁结构,得到了与实验值相近的交换偏置大小。
挠曲电性被定义为在介电材料中的电极化强度与应变梯度之间的耦合作用(正挠曲电效应)或应力与电场梯度之间的耦合作用,它可以存在于所有的介电材料中而不受材料结构对称性的约束。所以如果设计出一种特殊几何形状或结构,可以将施加在材料上的应力转化成应变梯度或将施加在材料上的电位转化成电场梯度,利用挠曲电效应甚至可以使中心对称材料产生类似于压电效应的响应。设计能够产生挠曲电响应的梯度结构是实现这类材料的难点,目
新一代磁电器件要求利用外界电场可以实现对自旋的精确操控.通过连续注入的自旋极化的电流驱动纳米结构中的磁畴壁运动成为近年来的研究热点.然而,这种方法通常需要1011~1012 A/m2的阈值电流密度,不利于与低能耗技术集成.本文主要报道了在锰氧化物/电介质/金属电容器结构中,利用探针诱导的自旋位移可以实现对具有垂直各向异性的单个磁畴壁的操控.在这种电容器结构中,强关联锰氧化物中的自旋注入及自旋转矩可