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高溶碳量金属(例如Ni箔[1])上的碳偏析生长是制备晶圆级高质量石墨烯的重要途径之一。然而，高溶碳量金属的碳偏析过程难以控制，很难实现大面积均匀单层石墨烯的生长，因此理解碳偏析的影响因素并实现对于偏析过程的控制是重要的研究课题[2]。我们首次选用高溶碳量金属Pd箔作为生长基底，发现对基底进行不同时间的退火预处理可以调控其晶畴的大小，进而直观地观察到厚层石墨烯优先生长在Pd箔晶畴边界处。通过进一步延长退火时间，可以抑制晶畴边界的碳偏析过程，实现单层石墨烯的可控生长[3]。研究表明，晶畴边界的碳偏析是形成多层不均匀石墨烯的重要因素。我们也采用扫描隧道显微镜(STM)原位表征了Pd箔上单层石墨烯的晶体质量，以及在不同Pd晶面上石墨烯的微观形貌。