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该文采用简并四波混频的方法研究和测试了光折变材料（Ｂｉ<,12>ＳｉＯ<,20>晶体）的相位共轭反射率Ｒ，并探讨了Ｒ与写入光束之间夹角和外加电场的变化关系，报道了Ｒ随外电场变化关系的曲线，分析了非线性效应增强机理。
ＢＳＯ晶体的相位共轭效应实验研究
【摘 要】
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该文采用简并四波混频的方法研究和测试了光折变材料（ＢｉＳｉＯ晶体）的相位共轭反射率Ｒ，并探讨了Ｒ与写入光束之间夹角和外加电场的变化关系，报道了Ｒ随外电场变化关系的曲线，分析了非线性效应增
【机 构】
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交通大学
【出 处】
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第五届全国高校光学学术与教学会议
【发表日期】
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1995年期
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