【摘 要】
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复合材共挤出Co-extrusion ProcessingTypical Lab CoExtrusion System共挤出设备Yao and Wu (2010) J.Applied Poly.Sci.118:3594-3601.CoExtrusion Die共挤出模具Plastic Lumber Co-extrusion塑"木"共挤出
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复合材共挤出Co-extrusion ProcessingTypical Lab CoExtrusion System共挤出设备Yao and Wu (2010) J.Applied Poly.Sci.118:3594-3601.CoExtrusion Die共挤出模具Plastic Lumber Co-extrusion塑"木"共挤出
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金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法制备氧化物薄膜具有沉积速率快,外延薄膜均匀性好等优点.本文采用单一液相混合源进液及闪蒸的MOCVD系统在YYC基带上制备YBa2Cu3O7-x (YBCO)薄膜,研究混合源中Ba含量对YBCO超导薄膜成分、结构及电流承载能力的影响.结果表明,当Ba含量较小时,YBCO薄膜中易于形成尺寸较小的CuO颗粒;随着Ba含量的增加,薄膜中形成Ba2CuO3晶粒,并且Ba
在不同的基底温度((600-850℃),射频功率(110-224w)和氧分压(19.5-58.6m Torr)下,在高织构度的离子束辅助沉积氧化镁(IBAD-MgO)基底上采用射频磁控溅射方法同质外延MgO,然后通过x射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜测试分析外延氧化镁薄膜的结构和形貌,薄膜的厚度采用台阶仪测量.在最优化参数下,即基底温度800℃,射频功率189w(板压0.7KV,板流270m
MgB2超导材料自从2001年发现以来受到了广泛关注,其超导转变温度可达39K, MgB2薄膜样品可以应用于单光子探测、热电子辐照等方面,由于其具有较高的超导转变温度,可以通过低温制冷机获得,可以节省液氦,降低应用成本,因此对于MgB2薄膜样品的基本性质的研究具有很重要的意义,尤其是存放条件对MgB2薄膜样品性质的影响更加必要.
根据本实验室自主研制的磁屏蔽室内的复合高温超导rf SQUID心磁图仪,在人体胸前测得的高信噪比的心磁信号,通过线性插值和高阶拟合,获得了人体心脏的一系列时序电流矢量图,为高温超导SQUID磁强计的心磁测量用于心脏病早期诊断和病理研究的进一步开展提供了思路和方向.
利用石墨烯极好的导电性和原子层尺度的厚度,借助临近效应,为制备超导弱连接结提供了新的思路和方法.高温超导体相干长度短,石墨烯厚度恰好能满足其要求.本文利用石墨烯转移,制备了YBCO/石墨烯/YBCO桥状结构,在大尺度的体系内观察到了石墨烯桥在Tc附近明显的超导转变,并观察到Tc受到外界磁场调制.
超导量子比特是基于Josephson结的量子电路器件,我们用很成熟的SNEP制备工艺来制备Al结和超导位相量子比特.这种方法制备的Josephson结区的氧化层是原位热氧化生成的,所以氧化层的质量很好,并且此方法可以制备复杂的线路结构.Al结在20mK下的2倍能隙大约为0.385meV,在次温度下测量了位相量子比特的能谱和Rabi振荡,显示我们的样品是很好的量子相干系统,它的能量弛豫时间为8ns.
为了抑制平面带通滤波器的二次谐波,实现高温超导滤波器的小型化,本文提出了两种新型的准分形结构谐振器,并分别将其应用到微带滤波器的设计与仿真之中.第一种谐振器由希尔伯特分形结构改变而来,由于其相对紧凑度更高,并且保留希尔伯特分形结构的基本性质,因此仿真结果不仅具有更好的二次谐波抑制效果还有更小的体积优势.
本文对在蓝宝石基片上生长微米量级厚度的Tl-2212高温超导薄膜进行了研究.在蓝宝石衬底上生长不同厚度的CeO2缓冲层,研究了缓冲层厚度对厚膜生长的影响;同时对超导薄膜的高温后退火处理采取了缓慢降温的方法.实验表明,缓冲层厚度对厚膜的生长有很大影响,而高温后退火过程中的缓慢降温处理可以有效改善降温过程中薄膜内部出现裂缝的情况.
高温超导滤波器和多工器近年来成为了微波研究者研究的重点,为了得到指标优良且无需反复调节的滤波器,很多研究小组致力于新型高效的滤波器设计仿真方法.传统的方法是在得到的仿真结果基础上反复调试,这是一个很耗时的过程,并且有很大的不确定性.后来有研究者提出空间映射法设计微带滤波器,这种方法从理论上确实可以提高滤波器设计效率,然而由于优化目标通常是具有多个零点的曲线,常常会导致优化过程不是一个收敛的过程.
通过仿真和实验的方法研究了在一个天线系统中,基于Tl-2212薄膜的本征约瑟夫森结的毫米波辐照性质.为了增强约瑟夫森结阵列与外部微波设备的耦合,介质基片被作为介质谐振天线与外部的喇叭天线构成一个天线系统.通过检测本征约瑟夫森结阵列的归一化临界电流,测量到了天线系统的最佳耦合频率范围为74.6～75.0GHZ,并研究了其频率性质.