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硅离子和质子双束辐照碳化硅(SiC)单晶材料，通过测量样品的透射率和红外光谱研究双束离子辐照SiC单晶的协同效应.质子辐照SiC材料使其透射率上升，这主要是氢离子对SiC悬挂键钝化作用所致.Si3+离子辐照会在SiC中引入缺陷，主要由缺陷形成的光吸收中心导致辐照后的SiC透射率下降，即在损伤层处富集光吸收中心.氢在SiC材料中是难溶的，其与Si3+辐照产生的缺陷结合，固化了产生缺陷在单晶材料中的运动，使得空位与间隙原子复合的概率下降.Si3+和H+双束同时辐照相对于先注入Si3+后注入H+的样品引致更多损伤，双束离子辐照有加重碳化硅辐照损伤的作用.