【摘 要】
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讨论了稀土化合物Gd5(SixGe1-x)4在0≤x≤0.3范围内的Gd5Ge4,Gd5(Si01Ge0.9)4多晶合金的磁致伸缩效应,通过对这些合金的磁致伸缩行为的分析,发现对Gd5(Si0.1Ge0.9)4合金,当满
【机 构】
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电子科技大学微电子及固体电子学院,四川,成都,610054
【出 处】
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2005年中国固体科学与新材料学术研讨会
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讨论了稀土化合物Gd5(SixGe1-x)4在0≤x≤0.3范围内的Gd5Ge4,Gd5(Si01Ge0.9)4多晶合金的磁致伸缩效应,通过对这些合金的磁致伸缩行为的分析,发现对Gd5(Si0.1Ge0.9)4合金,当满足条件:(1)具有异常的磁相变-晶体结构相变;(2)测量温度在零磁场下测定的居里温度(TC)以上;(3)合金的居里温度随外部磁场的增大而增大;(4)外加磁场足够大以满足Tc(H=0)＜T(测量温度)＜TC(H=Hmax),巨磁致伸缩效应才能存在.虽然对于Gd5Ge4合金,它的磁致伸缩效应行为更加复杂,但是它们的巨磁致伸缩效应均是因为在TC处,晶体结构发生转变的结果.
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