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本文通过对UDM模型原理的分析,提出了对于纳米交叉器件适合的拟合精度高,拟合公式相对比较简单的方法,并讨论了各种因素对拟合结果产生的影响。该方法能够有效地模拟纳米交叉结构的双稳态磁滞型伏安特性曲线。
基于UDM的纳米交叉结构器件伏安特性曲线模拟方法
【摘 要】
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本文通过对UDM模型原理的分析,提出了对于纳米交叉器件适合的拟合精度高,拟合公式相对比较简单的方法,并讨论了各种因素对拟合结果产生的影响。该方法能够有效地模拟纳米交叉
【机 构】
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计算机学院,国防科技大学,长沙,湖南 410073,中国
【出 处】
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第七届中国纳米科技(西安)研讨会
【发表日期】
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2008年期
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