【摘 要】
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由于常压硅外延工艺淀积温度高,杂质的固相扩散和自掺杂难以控制,外延层与衬底交界面处杂质浓度过渡区分布缓变,不可能形成陡峭的杂质浓度分布,使得高温外延很难制得较窄的PN
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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由于常压硅外延工艺淀积温度高,杂质的固相扩散和自掺杂难以控制,外延层与衬底交界面处杂质浓度过渡区分布缓变,不可能形成陡峭的杂质浓度分布,使得高温外延很难制得较窄的PN结和性能理想的半导体器件.本文介绍了一种新的外延工艺--低温低压外延工艺,有效减少了高温外延对器件带来的自掺杂的严重影响.现在低温低压外延工艺技术已经倍受人们关注,它是当前超大规模集成电路和一些高压特殊器件急需发展的新技术,在发展其它新型器件如异质结晶体管、高速器件以及光电子器件中,都具有十分重大的意义.
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