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采用热反应法对玻璃衬底上以磁控溅射制备的Zn薄膜进行硫化,制备出ZnS薄膜.薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能分别采用X射线衍射仪(XRD)和正电子湮没技术(PAS)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱进行分析和表征.结果 表明,当硫化热反应温度在410-440℃范围内时,ZnS薄膜的呈现出随温度变化的择优生长现象.随着硫化温度的升高,ZnS薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,可见光范围内的透过率为60%-80%.分析可知,ZnS薄膜的带隙宽度与温度呈线性关系.慢正电子湮没多普勒展宽能谱的测量结果表明,ZnS薄膜在反应热处理过程中产生了阳离子空位型缺陷,而S扩散至薄膜内生成ZnS.