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该文从热力学角度对ＬＰＥ中同时存在的Ｓｉ氧休与ＳｉＯ〈，２〉腐蚀的动态平衡过程进行了分析，探讨低温液相外延过程中防止硅氧化的技术条件，尝试采用Ａｕ／６０ｗｔ℅Ｂｉ合金作为外延溶剂，采用饱和和Ｓｎ源保护Ｓｉ衬底的方法以解决ＬＰＥ过程中硅的氧化问题，以实现低温下硅薄膜的外延生长，外延温度４００～５００℃。通过对外延层表面形貌和成分的分析研究表明此法成功地解决了硅的氧化问题。