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研究了沉淀法制备Al<,2>O<,3>-SiC纳米复合陶瓷的工艺过程,利用Al<,2>O<,3>从γ相到α相的蠕虫状生长过程,使大部分纳米SiC颗粒位于Al<,2>O<,3>晶粒内。用沉淀法制得的含有5vol℅SiC的Al<,2>O<,3>-SiC纳米复合陶瓷,其强度为467MPa,韧性为4.7Pam<’1/2>,与一般的Al<,2>O<,3>陶瓷相比有较大的提高,显示了沉淀法制备Al<,2>O<,3>-SiC纳米复合陶瓷的优点。