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用刻蚀方法可在2212-BSCCO单晶表面作出截面积为十至几十微米、C轴方向厚度为几个至几十个单胞的MESA器件。这种结构不仅有利于对2212－BSCCO本征约瑟夫森特性的研究，而且可制成高频本征约瑟夫森器件。
2212-BSCCO本征约瑟夫森器件(MESA)的制备和研究
【摘 要】
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用刻蚀方法可在2212-BSCCO单晶表面作出截面积为十至几十微米、C轴方向厚度为几个至几十个单胞的MESA器件。这种结构不仅有利于对2212－BSCCO本征约瑟夫森特性的研究，而且可制成
【机 构】
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科技大学物理系
【出 处】
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第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议
【发表日期】
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1998年期
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