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基于近期实验中发现的受限光生载流子的高效抽取及其导致的吸收增强现象,InAsSb/GaSb 这种具有Ⅱ 类能带结构的量子阱材料将有望作为一种新型的红外探测器材料,在高工作温度红外探测领域取得应用.本文通过能带计算发现,InAsSb/GaSb 量子阱具有极宽的光谱调节范围,插入在GaSb 中厚度为5nm 的InAs0.91Sb0.09量子阱,其跃迁能量为0.526eV(2.35μ m),而室温下的InAs0.91Sb0.09 体材料的带隙为0.281eV(4.41μ m).该计算结果为基于InAsSb/GaSb 量子阱带间跃迁的新型红外探测器的探测波长覆盖中短波红外提供了理论基础.