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主要基于二氧化钒(VO2)薄膜在约68℃半导体和金属间的可逆相变，其电学和光学特性发生巨变，通过控制温度来实现高透过率到高反射率的转换，实现对光的调制作用。二氧化钒薄膜通过电子束蒸发淀积在氮化硅层上，随后在390℃的温度下进行氧化。利用表面微细加工工艺制备二氧化钒薄膜光调制器。采用多次掩模和剥离工艺形成二氧化钒薄膜的单元图形，成功制造出32×32光调制器阵列。单元有源区的面积为80μm×80μm，芯片的尺寸为8mm×8mm。对器件的性能进行了分析和测试，验证了器件的热光开关和调制特性。在工作过程中，单元的温度是通过单元上的集成电阻或空间寻址热辐射源来控制的。该热光效应调制器由于没有可移动的部件，其最大的益处就是高可靠性、低制造成本。