【摘 要】
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我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了AlInAs/GaInAs变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变质缓冲层的生长机理,通过实验研究了生长条
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所(石家庄市)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了Al<,0.68>In<,0.32>As/Ga<,0.67>In<,0.33>As变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变质缓冲层的生长机理,通过实验研究了生长条件和残余应力对表面形貌和电性能的影响.并且设计生长了InAs组分线性增加至匹配的常规型M-Buffer层和InAs组分线性增加大于匹配再反向变化至匹配的反向M-Buffer层的两种M-Buffer层,比较发现加入反向层后MHEMT外延材料的电性能有所改善.我们对MHEMT外延材料的显微分析及Hall效应分析表明,优化生长条件和M-Buffer层设计后生长的材料有良好的晶体质量和优越的电性能.
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