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本文测量并计算了300K--500K温度范围内Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的伏安特性,测量值与计算值符合较好.由结果表明,高温时热电子发射是正向电流的主要输运机理;反向电流除了以隧道效应电流为主外,热电子发射电流和耗尽层中复合中心产生电流都随温度的升高而大大增加,不能再忽略不计.