载流子吸收热致Si基CCD带外光响应研究

来源 :第四届全国信息光学与光子器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xianfaxianfa
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  采用输出波长为1319nm 连续nd:YAG 激光对响应截止频率为1100nm 的某型Si基可见光面阵CCD 进行了辐照实验,观察到Si基CCD 对带外激光的"光电"响应现象,并在改进、重复实验的基础上对该现象进行了复现.测量到平均功率为40 W/Cm2 的激光辐照水平下,光斑中心区CCD 感光单元出现饱和.针对违背光电效应原理的这一实验现象,本文从自由载流子吸收及其引起的温升效应方面讨论了带外响应的成因,并估算出理论响应阈值为120 W/Cm2.
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