【摘 要】
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Epitaxial graphene/h-BN heterostructure is a novel system for investigating fundamental physics of Dirac fermions in periodic Moiré potential(e.g.Hofstadter butterfly under magnetic field[1],gate-depe
【机 构】
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Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics,Chinese Academy of
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Epitaxial graphene/h-BN heterostructure is a novel system for investigating fundamental physics of Dirac fermions in periodic Moiré potential(e.g.Hofstadter butterfly under magnetic field[1],gate-dependent pseudospin mixing[2],intrinsic bandgap opening[3],novel 1/f noise spectral density[4]).Using home-made PECVD system,single crystalline graphene was grown on h-BN.As grown graphene/h-BN shows a moiré superlattice with a periodicity of~15 nm.[5] We also found that graphene nanoribbon(GNR)grow preferentially from the atomic steps of h-BN,forming in-plane heterostructures.[6] Using ARPES,we investigated the influence of Moire potential on bandstructure of graphene,which is a highly debated issue.We directly observed the original Dirac cones of graphene with a inversion symmetry breaking induced bandgap of~160 meV.Also gapped secondary Dirac cones were observed at the corners of the superlattice Brillouin zone,and at only one of the two superlattice valleys.Our work fills critical knowledge of bandstructure engineering of Dirac fermions under periodic potential.
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