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通过磁控溅射系统,在单晶硅片上制备了六角氮化铝薄膜;改变溅射气压,也得到了垂直基底与平行基底的两种取向;取向生长的原因在于溅射气压将影响溅射粒子的能量,从而导致溅射过程中出现不同的沉积方式.
磁控溅射A1N薄膜的制备及其结构特性研究
【摘 要】
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通过磁控溅射系统,在单晶硅片上制备了六角氮化铝薄膜;改变溅射气压,也得到了垂直基底与平行基底的两种取向;取向生长的原因在于溅射气压将影响溅射粒子的能量,从而导致溅射
【机 构】
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北京工业大学材料科学与工程学院(北京)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2001年期
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