多孔硅发光机理的正电子湮没寿命谱研究

来源 :第十一届全国正电子湮没谱学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:maomao1t
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  本文采用不同溶液浸泡的方法对孔壁表面进行处理,使用正电子湮没谱学方法,根据电子偶素在样品中的湮没行为,对孔壁经不同处理后的多孔硅样品的微结构进行了研究,对样品的微结构与多孔硅发光性能的关系进行讨论。指出,在去离子水中浸泡的多孔硅样品其孔壁表面含有数量较多的悬挂键,红色可见发光强度较低,但具有紫外发光性能;在乙醇中浸泡的多孔硅样品孔壁表面悬挂键数量较少,其可见光发射强度较高,且没有紫外发光性能。
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