【摘 要】
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本实验利用本征氢化非晶硅来钝化a-Si:H和c-Si的界面,从而提高电池的转换效率.制备a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池所用的单晶硅片为250μm厚,电阻率为1Ω·cm,晶向为(100)
【机 构】
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河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130
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本实验利用本征氢化非晶硅来钝化a-Si:H和c-Si的界面,从而提高电池的转换效率.制备a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池所用的单晶硅片为250μm厚,电阻率为1Ω·cm,晶向为(100)的n型CZ-Si片.首先对c-Si片进行RCA清洗,然后将清洗好的n型CZ-Si片烘干,真空蒸发铝,蒸铝后再在烧结炉中650℃下烧结铝背电极后放置备用.使用前分别用丙酮和酒精各超声清洗5分钟,并用冷、热去离子水冲洗干净.沉积p型a-Si:H层之前,对c-Si表面进行钝化处理.我们对硅片表面钝化处理先是采用采用氢等离子体钝化处理10～20秒.然后利用PECVD沉积一薄层本征a-Si:H缓冲层(5～10nm).测量太阳电池的I-V特性.在AM1.5G,100mW/cm2,25℃的条件下,利用太阳电池模拟器(氙灯和卤素灯混合而成)进行测量.讨论本征层厚度,氢稀释度,温度等对太阳能电池转换效率的影响.结果得到较高效率的a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)结构的太阳电池.
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