CMOS器件的抗辐射筛选技术研究

来源 :第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hdf1038
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本文对电子元器件抗辐射能力的无损筛选法、预辐照筛选法和小剂量预辐照筛选法进行了较深入细致的研究,并对三种筛选法的优缺点进行了对比.研究结果表明,无损筛选法的有效性取决于初始性能(信息)参数的选择;预辐照筛选方法虽然有一定的准确性,但预辐照过程本身将不可避免地将给器件带来一部分无法通过用再退火的方法进行恢复的损伤,且预辐照累积剂量越大,这部分永久损伤越大;比较而言,小 剂量预辐照筛选法不但能保持筛选结果的高可靠性,而且其小剂量预辐照过程引入被筛选器件的损伤可以控制,对筛选对象的数量要求也比较低,是一种非常有潜力的元器件抗辐射能力筛选方法.
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