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采用直流反应磁控溅射技术，制备获得ZAO薄膜，研究氧分压、氩分压关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响，并获得了最佳的氧、氩分压制备参数，利用该参数制备ZAO薄膜，能够获得在可见光范围内的平均透射率>85％，最低电阻率为4.5×10-4Ωcm的ZAO薄膜，其光电性能均满足应用需求.