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抗辐照存储单元的噪声容限分析与设计优化

来源 :全国抗恶劣环境计算机第二十三届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liu55166

【摘 要】

：

本文基于传统静态噪声容限(SNM)理论,对HAD结构的抗辐照SRAM单元的静态噪声容限进行分析.给出了HAD存储单元的静态噪声容限的理论模型.该理论模型有助于预测器件参数的变化对

【作 者】

：

吴杨乐 刘必慰 赵振宇 

【机 构】

：

国防科技大学计算机学院,湖南长沙410073

【出 处】

：

全国抗恶劣环境计算机第二十三届学术年会

【发表日期】

：

2013年9期

【关键词】

：

存储器 抗辐照存储单元 静态噪声容限 优化设计 

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本文基于传统静态噪声容限(SNM)理论,对HAD结构的抗辐照SRAM单元的静态噪声容限进行分析.给出了HAD存储单元的静态噪声容限的理论模型.该理论模型有助于预测器件参数的变化对该存储单元的SNM值的影响.同时探讨了HAD存储单元的SNM与性能之间的关系.本文的研究结果对DAD存储单元设计的优化有重要意义.

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