GaAsAlGaAs芯-壳纳米线的分子束外延生长和光学性质

来源 :第十一届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dsclq

【摘要】

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近几年来GaAs纳米线由于其在半导体光电子器件(激光器,红外探测器和太阳能电池等)的重要的应用前景[1-2],引起人们广泛关注.但GaAs纳米线具有极高表面态密度,这对于光电器件

【作者】

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卢振宇张旭涛石遂兴张智陈平平魏冬冬邹进

【机构】

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红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,玉田路500号,上海,200083MaterialsEngineering,theUniversityofQueensland,St.Lucia,

【出处】

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第十一届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2015年8期

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近几年来GaAs纳米线由于其在半导体光电子器件(激光器,红外探测器和太阳能电池等)的重要的应用前景[1-2],引起人们广泛关注.但GaAs纳米线具有极高表面态密度,这对于光电器件的应用是致命的缺点.因此,降低GaAs纳米线表面的表面态密度是GaAs纳米线走向实际光电器件应用最重要的一步.而AlGaAs可被用来作为壳层包裹GaAs纳米线,以减小GaAs纳米线的表面态密度,改善GaAs纳米线的光电特性.

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