基于矩形膜片的硅微谐振式压力传感器敏感结构研究

来源 :第八届敏感元件与传感器学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ztgu8p
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文对一种以矩形膜片为一次敏感元件,硅梁作为二次谐振敏感元件的谐振式硅微结构压力传感器敏感结构进行了研究.针对微传感器的敏感结构和工作机理,利用弹性力学的相关理论,给出了矩形膜片与硅梁的解析模型,计算、分析了膜片的位移、应力及应变场分布以及梁谐振子的频率特性曲线;特别比较了矩形膜片尺寸变化对上述特性的影响规律.提出了较为实用的优化方案及参数设计思路.此外,利用ANSYS6.1有限元分析软件,对整个结构进行了力学分析,并与上述解析结果进行了比较.结果表明本文提供的解析模型具有工程实用价值,可用于该谐振式硅微结构压力传感器敏感结构的优化设计.
其他文献
采用有机硅粉末作为乳胶粉的添加剂对其进行改性。通过对乳胶粉成膜后的接触角、浸水溶出率、浸水湿强度的测试,探讨了改性后的乳胶粉的疏水、耐水性能,并运用扫描电镜、多重内反射红外光谱对改性后乳胶粉膜的微观结构进行了分析。结果表明,有机硅粉末添加剂能明显提高乳胶粉的疏水、耐水性能,且其耐水性随聚硅氧烷粉末添加剂的细度增加而增强。
这篇报告将以一个传统SIS为基础的耐高温型压敏性热熔胶,额外加入不同比例之C9补强剂(软化点大于150℃,分子量约3000),观察该补强剂对软化点(Ring&Ball Softening Point),稀稠度(Viscosity ),耐热剪切失败温度(SAFT:Shear Adhesion Fail Temperature),和高温持粘力(Holding Power)所造成的影响。同时探讨哪种测试
在全球经济一体化趋势下,现代物流业成为企业继降低生产消耗、提高劳动生产率之后的第三利润源泉,是21世纪新的经济增长点。开滦集团紧紧抓住现代物流业在我国刚刚起步,企业地处环渤海经济区,特别是区域经济中唐山市经济高速增长和曹妃旬港区综合开发的机遇,提出抓住区域经济发展的机遇,依托开滦品牌优势,大力发展现代物流产业。本文分析了开滦集团物流产业发展的内外部环境,并就开滦集团物流产业发展的总体思路作一详细分
2002年2月至4月,深圳市德威胜潜水工程有限公司参与了文昌13-1/13-2平台的兴建,承接了水下-18m,-48m和-82m三个层面隔水套管的锲块安装工程。此次工程也是我国目前首次将氦氧混合气深潜水作业方法应用在大规模深水工程中的成功实例。本文从工程风险评估、资源配置、施工方案等方面分析了82m氦氧混合气深潜水实例。
对用于测试惯性力的电容式传感器来说,必须引入用于检测电容变化的交变测试信号.然而由于该静电力的存在,其与惯性力和机械力联合作用必然会对传感器的可靠工作带来不利影响,如可能导致传感器的惯性质量块与静态电极永久吸合.在我们以前的工作中已讨论了准静态惯性信号的可靠工作条件.结果表明器件要可靠工作所能承受的最大惯性信号同静电测试信号紧密相关.测试信号越大,器件的可靠工作量程就越小.我们知道在现实条件下惯性
对许多微传感器和微执行器(如微加速度计、微麦克风以及微开关等),压膜空气阻尼对器件性能有重要影响.分析MEMS器件压膜空气阻尼的传统方法是采用雷诺方程.为了降低阻尼的影响,一个简单有效的方法是在板上开孔或开槽,这样,空气将主要从孔或槽中泄出,减小了阻尼.事实上,在表面微机械技术中为了腐蚀牺牲层也需要开孔或槽.此前,我们针对孔板结构得到了修正的雷诺方程并以长条孔板为例得到了有限宽度和有限厚度孔板压膜
计算机和仪器的结合诞生了虚拟仪器,虚拟仪器的总线是系统的核心技术,虚拟仪器的发展是伴随着总线技术的发展而发展的.本文全面回顾了虚拟仪器总线的发展演变过程,评述了当前主要的虚拟仪器总线体系结构及适用范围,探讨了今后虚拟仪器及其总线的发展方向.
本文分析了衬底对射频无源器件性能的影响,提出30μm空气隔离层的悬浮结构可以大大降低衬底损耗.通过模拟空气层隔离后的衬底损耗,简化了悬浮电感的电学模型,计算得到高Q值电感的优化尺寸结构.通过阳极氧化形成多孔硅牺牲层可以实现这种悬浮结构电感,利用SiO作支撑膜,Al金属作线圈的结构材料,最后使用改进的TMAH溶液释放牺牲层.该制作工艺与CMOS工艺兼容.
利用红外光谱、差热和热失重等分析手段对聚酰胺酸(PA)的亚胺化工艺过程进行了研究,分析了聚酰亚胺薄膜样品在热演化过程中的分子结构变化,揭示了由聚酰胺酸(PA)向聚酰亚胺(PI)转化物理化学过程.实验发现,70℃-110℃之间各种溶剂挥发比较激烈,PA环化脱水转化为PI的亚胺化反应在250℃已经基本完成.如果在150℃以下缓慢升温,使溶剂和化学反应生成物充分挥发,或在真空环境下进行亚胺化,有利于避免
本文报道了一种推导在任意坐标中硅压阻系数矩阵(四级张量)的新方法,即利用矩阵代数运算的方法批量的得到硅压阻系数矩阵的所有矩阵元.所得的结果还可以很清楚地显示出矩阵元之间的关系.