瞬态电容法研究直接键合硅中镍沾污对晶界电学性能的影响

来源 :2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:misariza
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  利用直接键合单个晶界的样品,采用深能级瞬态谱仪(DLTS)中的单个瞬态电容的方法研究了硅中常见金属杂质镍对晶界电学性能的影响。研究发现,与洁净晶界相比镍沾污后晶界的态密度明显增加,相应的空穴俘获截面也有所增大,可见镍杂质对晶界的缀饰会引起晶界复合活性的提高。经过适当的热处理,晶界的复合活性能得到一定程度的下降。这个结果说明,通过合适的退火工艺可以有效地改善含有镍沾污晶界的多晶硅器件的性能。
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