【摘 要】
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自Weyl费米子[1]在量子场论中提出,至今已有八十余年的历史,然而它却一直未在高能物理领域中发现.近期理论工作者预言[2],砷化钽(TaAs)系列晶体中的低能激发具有Weyl费米子的
【机 构】
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北京凝凝态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100190
【出 处】
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第十二届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
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自Weyl费米子[1]在量子场论中提出,至今已有八十余年的历史,然而它却一直未在高能物理领域中发现.近期理论工作者预言[2],砷化钽(TaAs)系列晶体中的低能激发具有Weyl费米子的形式.角分辨率光电子能谱[3]、低温输运[4]等方面的实验迅速证明了这一结果.TaAs晶体的能带有非平庸的拓扑性质,存在费米弧等特殊的能带结构.该材料在费米面附近具有线性色散关系,从而有极高的电子迁移率.每对Weyl点上具有不同的手性和自旋,在平行于电流方向的磁场中,因手性反常而导致负磁阻;而在电流垂直于磁场时,则显示很大的正磁阻.其独特的拓扑性质使之有望在将来的自旋电子学和量子计算领域中得到应用.
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