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由于存在表面悬挂键、表面缺陷等,在n型GaAs、GaSb和InP单晶的表面出现表面耗尽层[1,2],与这些Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体不同,n型或p型InAs单晶的表面电荷出现的是一层电子累积层[3].为了改变或调控InAs单晶的表面累积层,化学表面改性、金属原子吸附等方法用来改变InAs单晶表面的电荷特性[4,5],然而,这些方法不仅比较复杂而且很难控制表面累积层的厚度.