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作为Ⅲ-Ⅴ族稀磁性半导体的代表,(Ga,Mn)As自从被成功地生长制备以来,在过去数年中,研究人员对它的电学和磁学性质进行了广泛和深入的研究,然而通过光学手段对其性质的研究还比较少。本文报导了(Ga,Mn)As在低温和强磁场下的光电导测量,随着入射到(Ga,Mn)As薄膜上的激光的偏振性的改变,它的电阻呈现出不同的变化规律。