(Ga，Mn)As光电导的测量

来源 :第十七届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wo86914213

【摘要】

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作为Ⅲ-Ⅴ族稀磁性半导体的代表，(Ga，Mn)As自从被成功地生长制备以来，在过去数年中，研究人员对它的电学和磁学性质进行了广泛和深入的研究，然而通过光学手段对其性质的研究还比较

【作者】

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李江姬扬王玮竹赵建华

【机构】

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中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,100083

【出处】

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第十七届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

2009年8期

【关键词】

：

稀磁性半导体光电导测量磁学性质电学性质

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作为Ⅲ-Ⅴ族稀磁性半导体的代表，(Ga，Mn)As自从被成功地生长制备以来，在过去数年中，研究人员对它的电学和磁学性质进行了广泛和深入的研究，然而通过光学手段对其性质的研究还比较少。本文报导了(Ga，Mn)As在低温和强磁场下的光电导测量，随着入射到(Ga，Mn)As薄膜上的激光的偏振性的改变，它的电阻呈现出不同的变化规律。

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