1.55um低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

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利用低温(200C)生长的 GaAs 材料作为吸收层制备了 GaAs 基 1.55um 谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究。无光照 0 偏压下探测器暗电流为 8.0×10-11A,光 电流谱峰值波长 1563nm,响应谱线半宽 4nm, 具有良好的波长选择性。
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