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CdTe的溅射生长及其对n-HgCdTe光导器件的表面钝化
CdTe的溅射生长及其对n-HgCdTe光导器件的表面钝化
来源 :第三届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fellting
【摘 要】
:
利用Ar束溅射沉积技术进行了CdTe介质膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对器件的性能分析结果表明:这里得到的cdTe/HgCdTe界面质量已经可以达到器件实用化水平。
【作 者】
:
周咏东
方家熊
靳秀芳
王继元
汤定元
【机 构】
:
大学物理科学与技术学院
【出 处】
:
第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
溅射沉积技术
光导器件
性能分析
界面质量
表面钝化
实用化
介质膜
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利用Ar<+>束溅射沉积技术进行了CdTe介质膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对器件的性能分析结果表明:这里得到的cdTe/HgCdTe界面质量已经可以达到器件实用化水平。
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