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利用Ar<+>束溅射沉积技术进行了CdTe介质膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对器件的性能分析结果表明：这里得到的cdTe／HgCdTe界面质量已经可以达到器件实用化水平。
CdTe的溅射生长及其对n-HgCdTe光导器件的表面钝化
【摘 要】
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利用Ar束溅射沉积技术进行了CdTe介质膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对器件的性能分析结果表明：这里得到的cdTe／HgCdTe界面质量已经可以达到器件实用化水平。
【机 构】
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大学物理科学与技术学院
【出 处】
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第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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1998年期
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