【摘 要】
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氮化铝(AlN)的禁带宽度大、热导率高、与铝镓氮(AlGaN)的晶格适配小,是AlGaN基紫外LED以及高频大功率电力电子器件的理想衬底材料.氢化物气相外延(HVPE)在制备GaN单晶膜厚方
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京,100083
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
氮化铝(AlN)的禁带宽度大、热导率高、与铝镓氮(AlGaN)的晶格适配小,是AlGaN基紫外LED以及高频大功率电力电子器件的理想衬底材料.氢化物气相外延(HVPE)在制备GaN单晶膜厚方面已经比较成熟,但制备高质量无裂纹的AlN厚膜还比较困难,主要原因是Al原子的平均迁移长度小,AlN倾向于3D岛状生长.Al原子的平均迁移长度与扩散系数以及平均迁移时间有关.为了提高平均迁移长度,提出一种新的解决办法-脉冲式生长.这种方法可以通过增加Al原子在衬底表面的平均迁移时间的方式增加Al原子的迁移长度,促进AlN的二维生长.
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