吡啶-硼自由基的本质及其在合成C-4取代的吡啶衍生中的应用:从理论设计到实验验证

来源 :中国化学会第30届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aidilj
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  硼自由基在合成化学中具有广泛的应用。量子化学研究表明,吡啶-硼自由基[1]具有硼自由和碳自由基的双重特征[2]。与吡啶环的C-4位相比,尽管该自由基的硼原子上具有较低的自旋密度,但是当吡啶-硼自由基与α,β-不饱和酮相互作用时,它仍然可能作为一个路易斯碱稳定的硼自由通过硼基迁移来形成新的α,β-不饱和酮-硼基自由基。
其他文献
  苝酰亚胺(PDI)及其衍生物具有良好的光电性质,作为有机太阳能电池受体材料得到广泛研究。我们课题组在两个PDI单元上的1-1'和1-2'位分别引入亚芳基桥,理论设计了两组PDI桥
  石墨烯发现以后,纯B二维材料与B-C二维材料引起了人们的广泛关注.Tang等人[1]理论预测了自由B二维材料的稳定结构(α-sheet).该结构与石墨烯为等价电子体系,具有独特的六元
  苝二酰亚胺类(PDI)衍生物在体异质结太阳能电池中是最有可能替代富勒烯的潜力受体材料。由于这类衍生物的平面性结构导致有强烈的聚集性,实验上集中在合成扭曲结构的PDI二
  本文采用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)方法研究了Gerb和Lehn[1]实验上合成的两个以C=N双键为转轴的亚胺分子马达(1,2,见图1)的工作机理。这两个马达由C=
  我们使用了基于形变势理论的玻尔兹曼方法研究了五种类石墨烯材料(BC2N-Ⅰ,BC2N-Ⅱ,BC2N-Ⅲ,h-BN,氟化石墨烯)的载流子迁移率,并与石墨烯的载流子迁移率比较.我们的计算
  本文中采用本组最近发展的含旋轨耦合的运动方程耦合簇(EOM-CC)1,2方法,在CCSD级别上计算了闭壳层分子体系UO22+、NUN、NUO+和CUO的垂直激发能,同时也用EOM-CCSD方法计算
  结合谱变换哈密顿的Crank-Nicholson(SCN)[1]方法和拉格朗日分布函数微分近似(DAF)[2]方法,我们提出了一种新型的传播子,用以求解三原子动力学反应的薛定谔方程。我们将这
  本文基于密度泛函理论计算,研究了F掺杂对单斜BiVO4体相和表面性质的影响。热力学计算结果表明,无论对于体相还是表面,F均易掺杂到O位,而且不会引起明显弛豫。电子结构计
  鉴于天然DNA在导电性方面的限制,对其进行功能化修饰成为一种必然的选择,其中,金属化修饰为DNA作为理想的分子器件材料展现出了广阔的前景.在对天然碱基进行铜修饰的基础
  采用TD-DFT和SF-DFT的方法研究了4-二甲氨基-2-苯亚甲基丙二酸二甲酯(图1)在稀溶液中荧光失活而固体中荧光增强的机理。结果显示,在甲醇稀溶液中,分子受光激发后电子密度