【摘 要】
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假设晶界界面态呈高斯分布,理论上研究了光照条件下多晶硅晶界的复合特性.我们认为晶界材料是非晶的,研究了光照和掺杂浓度(N)对晶界势垒高度(Vg)、空间电荷边缘少子的界面复
【机 构】
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上海交通大学应用物理系太阳能研究所(上海)
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假设晶界界面态呈高斯分布,理论上研究了光照条件下多晶硅晶界的复合特性.我们认为晶界材料是非晶的,研究了光照和掺杂浓度(N<,d>)对晶界势垒高度(Vg)、空间电荷边缘少子的界面复合速度S(0)和有效复合速度S(W),界面复合电流密度J<,R>(0)的影响.结果表明在相同的光照条件△E<,f>下,S(0),S(W),J<,R>(0)随N<,d>的增加而增加.
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