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本文通过对阴极发射基体制造工艺的研究和控制,结合相应的检测方法,实现亚微米级含钪钨粉在阴极发射体制造中的工程化应用,从而改善钨基体的孔隙均匀性,有利于扩散阴极发射性能的提高.
扩散阴极发射基体的研究
【摘 要】
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本文通过对阴极发射基体制造工艺的研究和控制,结合相应的检测方法,实现亚微米级含钪钨粉在阴极发射体制造中的工程化应用,从而改善钨基体的孔隙均匀性,有利于扩散阴极发射性
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十二研究所,北京,100016
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十五届学术年会暨军用微波管研讨会
【发表日期】
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2005年期
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