【摘 要】
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本文介绍了毫米波反射型MEMS单片移相器的设计、制造和测试。实测性能与设计结果吻合较好,达到的电性能指标为:在35GHz-38GHz范围内,电压驻波比小于1.8,参考状态插损为3.5±1
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本文介绍了毫米波反射型MEMS单片移相器的设计、制造和测试。实测性能与设计结果吻合较好,达到的电性能指标为:在35GHz-38GHz范围内,电压驻波比小于1.8,参考状态插损为3.5±1.0dB,相移状态插损为2.0±0.6dB,相移为180°±6°.芯片尺寸:2.6mm×2.1mm×0.2mm.
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