金箔上单层MoS2以及MoS2/Graphene叠层结构的可控制备、精密表征以及电催化应用研究

来源 :中国化学会第30届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：myazx

【摘要】

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　　大面积、大畴区、高质量单层半导体性过渡族金属硫属化合物(例如MX2∶M∶ Mo,W； X∶ S,Se,etc.)的可控制备是研究其卓越物理化学特性、探索其广泛应用的重要前提.然而,现

【作者】

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张艳锋

【机构】

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北京大学纳米化学研究中心

【出处】

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中国化学会第30届学术年会

【发表日期】

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2016年期

【关键词】

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金箔单层 MoS2 叠层结构可控制备精密表征电催化

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　　大面积、大畴区、高质量单层半导体性过渡族金属硫属化合物(例如MX2∶M∶ Mo,W； X∶ S,Se,etc.)的可控制备是研究其卓越物理化学特性、探索其广泛应用的重要前提.然而,现有MX2材料的制备均依赖绝缘性衬底,这类体系虽有利于光/电器件的直接构筑,但不利于微观形貌和电子结构的直接表征.

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