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大面积、大畴区、高质量单层半导体性过渡族金属硫属化合物(例如MX2∶M∶ Mo,W; X∶ S,Se,etc.)的可控制备是研究其卓越物理化学特性、探索其广泛应用的重要前提.然而,现有MX2材料的制备均依赖绝缘性衬底,这类体系虽有利于光/电器件的直接构筑,但不利于微观形貌和电子结构的直接表征.