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该论文集的摘要共２７７篇，其中包括特邀论文２８篇。其内容包括：太空生长ＧａＡｓ单晶及其器件的研究；磷化铟专用掺杂剂的制备；化合物半导体外延材料的进展；掺杂砷化镓、磷化铟中杂质、缺陷的研究；硅单片ＬＤ高速驱动电路与测试；光致负阻效应；二次多项式型光波导的色散和模场；ＨＥＭＴ微波特性偏置依赖关系的计算机数值模拟；氮离子注入对ＧａＡｓ肖特基势垒性能的影响等方面。（秦 引摘）